制备方法
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海宁立昂东芯申请GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构专利，解决良率低及成本高问题
金融界2025年4月8日消息，国家知识产权局信息显示，海宁立昂东芯微电子有限公司申请一项名为“一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构”的专利，公开号CN 119767721 A，申请日期为2024年12月。专利摘要显示，本发明公开了一种GaN HEMT注入、栅脚自对准制备方法及结构。本发
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安徽铜冠申请一种高纯金属铋的制备方法专利，提纯效果好
金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，安徽铜冠产业技术研究院有限责任公司申请一项名为“一种高纯金属铋的制备方法”的专利，公开号CN 119776679 A，申请日期为2025年1月。专利摘要显示，本发明涉及一种高纯金属铋的制备方法，涉及有色金属冶金技术领域，制备方法以下步骤：(1)惰
